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电子封装技术国内研究

电子封装技术是连接芯片、电路板和系统的关键桥梁,直接影响着电子产品的性能、可靠性、成本和尺寸,随着芯片制程不断逼近物理极限和摩尔定律放缓,以先进封装为代表的封装技术已成为延续和超越摩尔定律的核心驱动力,也是当前国内外竞争的焦点。

电子封装技术国内研究-图1
(图片来源网络,侵删)

国内研究总体格局与特点

国内电子封装技术研究起步相对较晚,但发展速度极快,在国家政策的大力扶持和市场需求的强劲驱动下,已经形成了较为完整的产业链和研究体系。

主要研究力量

  • 高校与科研院所: 是基础研究和前沿技术探索的主力军。
    • 清华大学、华中科技大学、西安电子科技大学、北京航空航天大学、上海交通大学等在封装材料、微系统集成、可靠性分析、三维集成等领域实力雄厚。
    • 中国科学院旗下的多个研究所,如微电子研究所、苏州纳米所、长春应化所等,在关键材料、工艺设备和基础理论方面贡献突出。
  • 龙头企业: 是技术创新和产业化的核心引擎。
    • 长电科技: 全球第三大封测厂商,技术布局全面,尤其在晶圆级封装和先进封装领域处于国内领先地位,拥有XDFOI等核心技术。
    • 通富微电: 深度绑定AMD,在Chiplet(芯粒)封装和异构集成方面经验丰富,技术实力强劲。
    • 华天科技: 在传统封装和部分先进封装领域有深厚积累,正在积极向高端市场转型。
    • 晶方科技: 全球领先的CMOS图像传感器封装企业,在晶圆级封装领域占据主导地位。
  • 新兴创业公司: 在细分领域展现出创新活力。
    • 长电科技旗下的星科金朋通富微电等企业通过国际合作和并购,快速提升技术实力。
    • 一些初创公司聚焦于特定技术,如高密度扇出型封装硅通孔等,为产业链注入新活力。

总体特点

  • 政策驱动明显: “国家集成电路产业发展推进纲要”、“中国制造2025”等政策将先进封装列为重点支持方向,资金和资源向该领域倾斜。
  • “卡脖子”问题突出: 在高端EDA工具、核心光刻胶、高精度贴片设备、高等级基板材料等方面仍高度依赖进口,是制约产业发展的瓶颈。
  • 从跟随到并跑: 在传统封装领域已实现全面国产化替代,在部分先进封装领域(如Fan-out、WLCSP)已达到国际先进水平,但在最前沿的2.5D/3D封装、Chiplet生态构建等方面仍在奋力追赶。
  • 产学研结合紧密: “校企合作”、“产线共建”模式普遍,加速了科研成果的转化和应用。

核心研究方向与技术热点

国内的研究紧跟全球技术趋势,主要集中在以下几个方向:

先进封装技术

这是当前研究的重中之重,旨在通过系统级集成提升芯片性能。

  • 晶圆级封装:
    • 研究重点: 提高封装密度、降低成本、改善电热性能,国内在扇出型封装 方面研究活跃,用于手机射频模块、电源管理芯片等,已实现大规模量产,对晶圆级再布线硅通孔 等关键工艺和材料的研究也在不断深入。
  • 5D/3D 封装:
    • 研究重点: 解决高带宽存储器与逻辑芯片的集成问题,适用于高性能计算、AI加速器等领域,国内研究主要集中在硅中介层 的设计、制造与测试,以及TSV(硅通孔) 的深孔刻蚀、填充和电学连接等关键技术,长电科技和通富微电已布局并量产相关产品。
  • Chiplet (芯粒) 技术:
    • 研究重点: 这是后摩尔时代的核心战略,国内研究集中在:
      • 芯粒互连技术: 包括高级封装(如混合键合)和高速I/O接口(如UCIe标准)。
      • 芯粒设计方法学: 如何将大芯片分解、设计、验证和测试。
      • 芯粒标准与生态: 积极参与和推动UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) 等国际标准的制定,并探索国内自主的Chiplet标准。
  • 系统级封装:
    • 研究重点: 将不同功能的芯片(处理器、存储器、传感器、无源器件)集成在一个封装体内,实现小型化和多功能化,国内在射频模组封装MEMS传感器封装等领域有广泛应用。

关键材料与工艺

封装技术的突破离不开材料和工艺的支撑。

电子封装技术国内研究-图2
(图片来源网络,侵删)
  • 封装基板:
    • 研究重点: 开发高密度、高频率、高散热性能的基板材料,国内在有机基板领域已取得长足进步,但在ABF (Build-up Film) 基板(用于CPU/GPU等高端芯片)方面仍是短板,正集中力量进行技术攻关。
  • 封装材料:
    • 研究重点:
      • 底部填充胶: 提高芯片与基板连接的可靠性,研究低应力、快速固化、高耐热性的材料。
      • 封装-under-fill (底部填充胶): 同上。
      • 环氧塑封料: 研发高导热、低应力、高可靠性的材料,以应对芯片高功率密度的挑战。
      • 光刻胶: 特别是用于TSV和RDL工艺的高分辨率、高灵敏度光刻胶,是“卡脖子”的关键材料之一。
  • 微互连技术:
    • 研究重点: 包括焊料凸点铜柱凸点微凸块等,研究其电学、热学和力学性能,以及高密度下的连接可靠性。混合键合技术,即铜-铜直接键合,是实现高密度3D集成的未来方向,是研究热点。

可靠性设计与分析

随着集成度提高,封装的可靠性问题愈发复杂。

  • 研究重点:
    • 热管理: 研究芯片在封装和系统中的散热路径,开发新型散热材料(如导热硅脂、相变材料、均热板)和结构设计。
    • 应力分析: 分析不同材料热膨胀系数不匹配导致的应力,以及应力对芯片和焊点的影响,提高长期可靠性。
    • 失效分析: 建立从设计、制造到应用的失效数据库,开发先进的失效分析技术(如X-ray、声学扫描显微镜、聚焦离子束),为工艺改进提供依据。

面临的挑战与瓶颈

  1. 高端设备与材料依赖进口: 如前所述,光刻机、刻蚀机、高精度贴片机、ABF基板材料、高端光刻胶等核心环节仍受制于人,供应链安全风险高。
  2. 基础研究薄弱: 在封装物理、化学、力学等基础理论方面,与国外顶尖研究机构相比仍有差距,导致原创性、颠覆性技术较少。
  3. 高端人才短缺: 兼具材料、器件、电路、系统知识和工程经验的复合型高级人才严重不足。
  4. 设计-制造-封测协同不足: 国内芯片设计、制造、封测环节相对独立,协同创新的生态尚未完全形成,影响了Chiplet等技术的推广和应用。
  5. EDA工具与标准生态: 缺乏自主可控的高端EDA工具,在Chiplet接口标准(如UCIe)的制定上话语权不足。

未来发展趋势

  1. Chiplet技术成为主流: 将成为构建高性能、低成本芯片的主流范式,国内将加速构建自主的Chiplet设计、制造、封测和标准生态。
  2. 异构集成走向深度融合: 未来的封装不再是简单的“堆叠”,而是材料、器件、电路、算法的深度融合,实现“超越摩尔”的系统级创新。
  3. “芯-屏-端-云”协同封装: 封装技术将向更广阔的系统领域延伸,如与显示面板、传感器、边缘计算设备等进行一体化集成。
  4. 绿色与可持续发展: 研发低能耗、无铅化、可回收的封装材料和工艺,符合全球环保趋势。
  5. AI赋能封装技术: 利用人工智能和大数据分析,优化封装设计、预测良率、加速失效分析,实现“智能封装”。

国内电子封装技术研究正处于一个黄金发展期,取得了令人瞩目的成就,特别是在产业化应用和部分先进封装技术上,我们必须清醒地认识到在核心材料、高端设备和基础研究上的短板,只有坚持自主创新加强产学研用深度融合攻克“卡脖子”技术,并积极参与国际标准制定,才能在全球电子封装技术的激烈竞争中占据有利地位,为中国半导体产业的崛起提供坚实的支撑。

电子封装技术国内研究-图3
(图片来源网络,侵删)
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